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Publikationen von Lüscher, S.

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Anzahl der Einträge: 14.

2009

Frolov, S.M., Lüscher, S., Yu, W., Ren, Y., Folk, J.A. und Wegscheider, Werner (2009) Ballistic spin resonance. nature 458 (458), S. 868-871. Volltext nicht vorhanden.

2002

Lüscher, S., Fuhrer, A., Held, R., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Bichler, Max und Wegscheider, Werner (2002) Quantum wires and quantum dots defined by lithography with an atomic force microscope. Microelectronics Journal 33 (4), S. 319-321. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Fuhrer, A., Dorn, A., Lüscher, S., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2002) Invited Review Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation. Superlattices and Microstructures 31 (1), S. 19-42. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2001

Fuhrer, A., Lüscher, S., Ihn, Thomas, Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2001) Energy spectra of quantum rings. Nature 413, S. 822-825. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Lüscher, S., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2001) Investigation of Spin Pairing in a Semiconductor Quantum Dot. physica status solidi b 224 (2), S. 561-565. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Fuhrer, A., Lüscher, S., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2001) Phase Diagram of a Quantum Dot with Steep Walls in Strong Magnetic Fields. physica status solidi b 224 (2), S. 555-560. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Fuhrer, A., Lüscher, S., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2001) Transport properties of quantum dots with steep walls. Physical Review B 63 (12), S. 125309. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Lüscher, S., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2001) Signatures of Spin Pairing in Chaotic Quantum Dots. Physical Review Letters 86 (10), S. 2118-2121. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Heinzel, Thomas, Held, R., Lüscher, S., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2001) Electronic properties of nanostructures defined in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 9 (1), S. 84-93. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2000

Heinzel, Thomas H., Salis, G., Held, R., Lüscher, S., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2000) Shifting a quantum wire through a disordered crystal: Observation of conductance fluctuations in real space. Physical Review B 61 (20), R13353-R13356. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Lüscher, S., Fuhrer, A., Held, R., Heinzel, Thomas H., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2000) In-plane Gate Single Electron Transistor Fabricated by AFM Lithography. Journal of Low Temperature Physics 118 (5-6), S. 333-342. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Heinzel, Thomas H., Held, R., Lüscher, S., Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner (2000) Semiconductor nanostructures with short depletion length and stacked gates, patterned with an atomic force microscope. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 7 (3-4), S. 860-863. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

1999

Lüscher, S., Fuhrer, A., Held, R., Heinzel, Thomas, Ensslin, Klaus und Wegscheider, Werner (1999) In-plane gate single-electron transistor in Ga[Al]As fabricated by scanning probe lithography. Applied Physics Letters 75 (16), S. 2452-2454. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Held, R., Lüscher, S., Heinzel, Thomas, Ensslin, K. und Wegscheider, Werner (1999) Fabricating tunable semiconductor devices with an atomic force microscope. Applied Physics Letters 75 (8), S. 1134-1136. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

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