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Anzahl der Einträge: 22.

2007

Witzigmann, B., Laino, V., Roemer, F., Lauterbach, C., Schwarz, Uli, Rumbolz, C., Schillgalies, M., Lell, A. und Härle, V. (2007) Analysis of substrate modes in GaN/InGaN Lasers. SPIE proceedings 6468, 64680Q. Volltext nicht vorhanden.

Braun, Harald, Lauterbach, C., Schwarz, Uli, Laino, V., Witzigmann, B., Rumbolz, C., Schillgalies, M., Lell, A. und Härle, V. (2007) Experimental and Theoretical Study of Substrate Modes in (Al,In)GaN Laser Diodes. phys. stat. sol. (c) 4, S. 2772. Volltext nicht vorhanden.

Laino, V., Roemer, F., Witzigmann, B., Lauterbach, C., Schwarz, Uli, Rumbolz, C., Schillgalies, M., Furitsch, M., Lell, A. und Här, V. (2007) Experimental and theoretical study of substrate modes in (Al,In)GaN laser diodes. IEEE J. Quantum Electronics 43, S. 16. Volltext nicht vorhanden.

Laubsch, A., Sabathil, M., Bruederl, G., Wagner, J., Strassburg, M., Baur, E., Braun, Harald, Schwarz, Uli, Lell, A., Lutgen, S., Linder, N., Oberschmid, R. und Hahn, B. (2007) Measurement of the internal quantum efficiency of InGaN quantum wells. Proc. SPIE 6486, 64860J. Volltext nicht vorhanden.

2006

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Miler, A., Lugauer, H., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2006) Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Witzigmann, B., Laino, V., Luisier, M., Schwarz, Uli, Feicht, Georg, Wegscheider, Werner, Engl, K., Furitsch, M., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2006) Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells. Applied Physics Letters 88, 021104. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Witzigmann, B., Laino, V., Luisier, M., Schwarz, Uli, Fischer, H., Feicht, Georg, Wegscheider, Werner, Rumbolz, C., Lell, A. und Härle, V. (2006) Analysis of temperature dependent optical gain in GaN/InGaN quantum well structures. IEEE Phot. Tech. Lett. 18, S. 1600. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Lauterbach, C., Schillgalies, M., Rumbolz, C., Furitsch, M., Lell, A. und Härle, V. (2006) Time-resolved scanning near-field microscopy of InGaN laser diode dynamics. SPIE proceedings 6184, 61840K. Volltext nicht vorhanden.

2005

Schoedl, T., Schwarz, Uli, Kümmler, V., Furitsch, M., Leber, A., Miler, A., Lell, A. und Härle, V. (2005) Facet degradation of GaN heterostructure laser diodes. Journal of Appli ed Physics 97, S. 123102. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Pindl, M., Sturm, Evi, Furitsch, M., Leber, A., Miller, S., Lell, A. und Härle, V. (2005) Influence of ridge geometry on lateral mode stability of (In/Al)GaN laser diodes. phys. stat. sol. (a) 202, S. 261. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Pindl, M., Wegscheider, Werner, Eichler, C., Scholz, F., Furitsch, M., Leber, A., Miller, S., Lell, A. und Härle, V. (2005) Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes. Applied Physics Letters 86, S. 161112. Volltext nicht vorhanden.

Gmeinwieser, N., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Wegscheider, Werner, Clos, R., Krtschil, A., Krost, A., Weimar, A., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2005) Single dislocation induced strain in GaN. Journal of Appli ed Physics 98, S. 116102. Volltext nicht vorhanden.

2004

Gmeinwieser, N., Engl, K., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate. Journal of Appli ed Physics 96, J. Appl. Phys.. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Sturm, Evi, Wegscheider, Werner, Kümmler, V., Lell, A. und Härle, V. (2004) Excitonic signature in gain and carrier induced change of refractive index spectra of (In,Al)GaN quantum well lasers. Applied Physics Letters 85, S. 1475. Volltext nicht vorhanden.

Schoedl, T., Schwarz, Uli, Miller, S., Leber, A., Furitsch, M., Lell, A. und Härle, V. (2004) Facet degradation of (Al,In)GaN laser diodes. phys. stat. sol. (a) 201, S. 2635. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Schoedl, T., Kümmler, V., Lell, A. und Härle, V. (2004) Laser Diode Facet Degradation Study. MRS Proceeding 798, Y11.10.1. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Wegscheider, Werner, Lell, A. und Härle, V. (2004) Nitride-based in-plane laser diodes with vertical current path. Proceedings of the SPIE 5365, S. 267. Volltext nicht vorhanden.

Gmeinwieser, N., Engl, K., Schwarz, Uli, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2004) Strain, wing tilt and Photoluminescence in ELOG GaN on SiC substrates. phys. stat. sol. (a) 201, S. 2760. Volltext nicht vorhanden.

2003

Schwarz, Uli, Sturm, Evi, Wegscheider, Werner, Kümmler, V., Lell, A. und Härle, V. (2003) Gain spectra and current-induced change of refractice index in (In/Al)GaN diode lasers. phys. stat. sol. (a) 200, S. 143. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Sturm, Evi, Wegscheider, Werner, Kümmler, V., Lell, A. und Härle, V. (2003) Optical gain, carrier-induced phase shift, and linewidth enhancement factor in InGaN quantum well lasers. Applied Physics Letters 83, S. 4095. Volltext nicht vorhanden.

2002

Kümmler, V., Brüderl, G., Bader, S., Miller, S., Weimar, A., Lell, A., Härle, V., Schwarz, Ulrich, Gmeinwieser, Nikolaus und Wegscheider, Werner (2002) Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes. physica status solidi a 194 (2), S. 419-422. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Kümmler, V., Brüderl, G., Bader, S., Miller, S., Weimar, A., Lell, A., Härle, V., Schwarz, Uli, Gmeinwieser, N. und Wegscheider, Werner (2002) Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes. phys. stat. sol. (a) 194, S. 419. Volltext nicht vorhanden.

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