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Publikationen von Lell, Alfred

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Anzahl der Einträge: 11.

2006

Gmeinwieser, Nikolaus, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich, Wegscheider, Werner, Clos , R., Krtschil, A., Krost, A., Engl, Karl, Weimar, A., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Long range strain and electrical potential induced by single edge dislocations in GaN. Physica B Condensed Matter 376-37, S. 451-454. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Miler, A., Lugauer, H.-J., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Witzigmann, B., Laino, V., Luisier, M., Schwarz, Ulrich, Feicht, Georg, Wegscheider, Werner, Engl, Karl, Furitsch, Michael, Leber, Andreas, Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells. Applied Physics Letters 88 (2), 021104. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2005

Gmeinwieser, Nikolaus, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich, Wegscheider, Werner, Clos, R., Krtschil, A., Krost, A., Weimar, Andreas, Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2005) Local strain and potential distribution induced by single dislocations in GaN. Journal of Applied Physics 98 (11), S. 116102. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Schwarz, Ulrich, Pindl, Markus, Wegscheider, Werner, Eichler, Christoph, Scholz, Ferdinand, Furitsch, Michael, Leber, Andreas, Miller, Stephan, Lell, Alfred und Härle, Volker (2005) Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes. Applied Physics Letters 80 (16), S. 161112. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2004

Gmeinwieser, Nikolaus, Engl, Karl, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H.-J., Leber, A., Weimar, A., Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Gmeinwieser, Nikolaus, Engl, Karl, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Leber, Andreas, Weimar, Andreas, Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Strain, wing tilt and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. physica status solidi a 201 (12), S. 2760-2763. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Schwarz, Ulrich, Sturm, Evi, Wegscheider, Werner, Kümmler, V., Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Excitonic signature in gain and carrier induced change of refractive index spectra of (In,Al)GaN quantum well lasers. Applied Physics Letters 85 (9), S. 1475-1477. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Kümmler, V., Lell, Alfred, Härle, Volker, Schwarz, Ulrich, Schoedl, T. und Wegscheider, Werner (2004) Gradual facet degradation of (Al,In)GaN quantum well lasers. Applied Physics Letters 84 (16), S. 2989-2991. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2003

Schwarz, Ulrich, Sturm, Evi, Wegscheider, Werner, Kümmler, V., Lell, Alfred und Härle, Volker (2003) Optical gain, carrier-induced phase shift, and linewidth enhancement factor in InGaN quantum well lasers. Applied Physics Letters 83 (20), 4095 . Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Schwarz, Ulrich, Sturm, Evi, Wegscheider, Werner, Kümmler, V., Lell, Alfred und Härle, Volker (2003) Gain spectra and current-induced change of refractice index in (In/Al)GaN diode lasers. physica status solidi a 200 (1), S. 143-146. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

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