Einträge von Miler, A. auf dem Publikationsserver
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Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich
, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Miler, A., Lugauer, H.-J., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Miler, A., Lugauer, H.-J., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich
, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Miler, A., Lugauer, H., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V.
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Miler, A., Lugauer, H., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V.
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Schoedl, T., Schwarz, Uli, Kümmler, V., Furitsch, M., Leber, A., Miler, A., Lell, A. und Härle, V.
(2005)
Facet degradation of GaN heterostructure laser diodes.
Journal of Appli
ed Physics 97, S. 123102.
Volltext nicht vorhanden.
