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Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Miler, A., Lugauer, H., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2006) Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Krylov, V. N., Miller, S., Rachel, Reinhard, Biebl, M., Pletneva, E. A., Shuetz, M., Krylov, S. V. und Shaburova, O. V. (2006) Ambivalent bacteriophages of different species active on Escherichia coli K12 and Salmonella sps. strains. Genetika 42 (2), S. 159-168. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Pindl, M., Sturm, Evi, Furitsch, M., Leber, A., Miller, S., Lell, A. und Härle, V. (2005) Influence of ridge geometry on lateral mode stability of (In/Al)GaN laser diodes. phys. stat. sol. (a) 202, S. 261. Volltext nicht vorhanden.

Schwarz, Uli, Pindl, M., Wegscheider, Werner, Eichler, C., Scholz, F., Furitsch, M., Leber, A., Miller, S., Lell, A. und Härle, V. (2005) Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes. Applied Physics Letters 86, S. 161112. Volltext nicht vorhanden.

Gmeinwieser, Nikolaus, Engl, Karl, Gottfriedsen, P., Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H.-J., Leber, A., Weimar, A., Lell, Alfred und Härle, Volker (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates. Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Gmeinwieser, N., Engl, K., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate. Journal of Appli ed Physics 96, J. Appl. Phys.. Volltext nicht vorhanden.

Schoedl, T., Schwarz, Uli, Miller, S., Leber, A., Furitsch, M., Lell, A. und Härle, V. (2004) Facet degradation of (Al,In)GaN laser diodes. phys. stat. sol. (a) 201, S. 2635. Volltext nicht vorhanden.

Gmeinwieser, N., Engl, K., Schwarz, Uli, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2004) Strain, wing tilt and Photoluminescence in ELOG GaN on SiC substrates. phys. stat. sol. (a) 201, S. 2760. Volltext nicht vorhanden.

Kümmler, V., Brüderl, G., Bader, S., Miller, S., Weimar, A., Lell, A., Härle, V., Schwarz, Ulrich, Gmeinwieser, Nikolaus und Wegscheider, Werner (2002) Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes. physica status solidi a 194 (2), S. 419-422. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Kümmler, V., Brüderl, G., Bader, S., Miller, S., Weimar, A., Lell, A., Härle, V., Schwarz, Uli, Gmeinwieser, N. und Wegscheider, Werner (2002) Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes. phys. stat. sol. (a) 194, S. 419. Volltext nicht vorhanden.

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