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Publikationen von Neumann, Richard

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Anzahl der Einträge: 11.

2003

Belkov, Vassilij, Ganichev, Sergey, Schneider, Petra, Schowalter, D., Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2003) Spin-photocurrent in p-SiGe quantum wells under terahertz laser irradiation. Journal of Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism 16 (2), S. 415-418.

Belkov, Vassilij, Ganichev, Sergey, Schneider, Petra, Schowalter, D., Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, E., Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2003) Spin-Photocurrent in p-SiGe quantum wells under terahertz laser irradiation. Journal of Superconductivity 16 (2), S. 415-418. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2002

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, E., Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Removal of spin-degenerancy in p-SiGe quantum wells demonstrated by spin-photocurrents. Physical Review B 66 (7), S. 75328. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Removal of spin degeneracy in SiGe-based nanostructures. In: Alferov, Zhores I. und Esaki, Leo, (eds.) 10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology. SPIE proceedings series, 5023. SPIE, Bellingham, Washington, S. 169. ISBN 0-8194-4824-9. Volltext nicht vorhanden.

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Kalz, Franz-Peter, Prettl, Wilhelm, Neumann, Richard, Brunner, Karl, Abstreiter, Gerhard und Ivchenko, Eougenious (2002) Sympos. Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells. In: Klemmer, Timothy J. und Sun, Jonathan Z. und Fert, Albert und Bass, Jack, (eds.) Materials Research Society symposium proceedings; 690. MRS, Warrendale, Pa., F3.11.1. ISBN 1-558-99626-5.

Sollinger, M., Ganichev, Sergey, Kalz, Franz-Peter, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 11. - 15. März 2002, Regensburg. Volltext nicht vorhanden.

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2002) Removal of spin degeneracy in SiGe based nanostructures. In: Alferov, Zhores I. und Esaki, Leo, (eds.) Nanostructures: physics and technology: 10th international symposium, St. Petersburg, Russia, June 17 - 21, 2002; proceedings. SPIE proceedings series, 5023. SPIE, Bellingham, Washington, S. 187-190. ISBN 0-8194-4824-9.

2001

Ganichev, Sergey, Kalz, Franz-Peter, Prettl, Wilhelm, Neumann, Richard, Brunner, K., Abstreiter, Gerhard und Ivchenko, Eougenious (2001) Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells. In: MRS Fall Meeting, 26. - 30. November 2001, Boston, Massachusetts, USA. Volltext nicht vorhanden.

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Prettl, Wilhelm, Ivchenko, Eougenious, Belkov, Vassilij, Neumann, Richard, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2001) Removal of spin degeneracy in SiGe based nanostructures. In: 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 18. - 22. Juni 2001, St. Petersburg, Russia. Volltext nicht vorhanden.

1998

Wegscheider, Werner, Schedelbeck, Gert, Neumann, Richard und Bichler, Max (1998) (1 1 0) oriented quantum wells and modulation-doped heterostructures for cleaved edge overgrowth. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 2 (1-4), S. 131-136. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

1997

Baumgartner, P., Wegscheider, Werner, Bichler, Max, Schedelbeck, G., Neumann, Richard und Abstreiter, Gerhard (1997) Single-electron transistor fabricated by focused laser beam-induced doping of a GaAs/AlGaAs heterostructure. Applied Physics Letters 70 (16), S. 2135-2137. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

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