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Publikationen von Olajos, Janos

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Anzahl der Einträge: 6.

1993

Olajos, Janos, Abstreiter, Gerhard, Schorer, R., Vogl, P. und Wegscheider, Werner (1993) Properties of Sn/Ge superlattices. Semiconductor Science and Technology 8 (1S ), S. 6-8. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

1992

Wegscheider, Werner, Olajos, Janos und Abstreiter, Gerhard (1992) Interband absorption in alpha-Sn/Ge short-period superlattices. Applied Physics Letters 61 (26), S. 3130-3132. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Vogl, P., Olajos, Janos, Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (1992) Electronic structure and optical properties of short-period α-SnnGem superlattices. Surface Science 267 (1-3), S. 83-86. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Wegscheider, Werner, Olajos, Janos, Menczigar, U., Dondl, W. und Abstreiter, Gerhard (1992) Fabrication and properties of epitaxially stabilized Ge / α-Sn heterostructures on Ge(001). Journal of Crystal Growth 123 (1-2), S. 75-94. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

1991

Olajos, Janos, Vogl, P., Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (1991) Infrared optical properties and band structure of α-Sn/Ge superlattices on Ge substrates. Physical Review Letters 67 (22), S. 3164-3167. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

1990

Wegscheider, Werner, Eberl, Karl, Menczigar, U., Olajos, Janos und Vogl, P. (1990) Highly strained alpha-Sn/Ge superlattices: new man-made semiconductors. In: Anastassakis, E. M., (ed.) 20th International Conference on the Physics of Semiconductor; Thessaloniki, Greece; August 6 - 10, 1990. Band 2. World Scientific, Singapur, S. 1685-1688. ISBN 981-02-0290-3. Volltext nicht vorhanden.

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