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Publikationen von Pfeiffer, Loren N.

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Anzahl der Einträge: 12.

2000

Lilly, M. P., Cooper, Kumarasen B., Eisenstein, J. P., Pfeiffer, Loren N., West, Kenneth W., Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2000) Anisotropic state of two-dimensional electron gas in high Landau levels. In: Kramer, Bernd, (ed.) Advances in Solid State Physics. Advances in Solid State Physics, 40. Springer, Berlin, S. 65-76. ISBN 978-3-540-41576-3. Volltext nicht vorhanden.

1997

Pfeiffer, Loren N., Yacoby, A., Stormer, H. L., Baldwin, K. W., Hasen, J., Pinczuk, A., Wegscheider, Werner und West, Kenneth W. (1997) Transport and optics in quantum wires fabricated by MBE overgrowth on the (110) cleaved edge. Microelectronics Journal 28 (8-10), S. 817-823. Volltext nicht vorhanden.

Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N., West, Kenneth W., Kiselev, A., Hagn, M. und Leibenguth, Ronald E. (1997) Cleaved edge overgrowth and 1D lasers. In: Abstreiter, Gerhard und Aydinli, Atilla und Leburton, Jean Pierre, (eds.) Optical spectroscopy of low dimensional semiconductors. NATO ASI series: Series E, Applied sciences, 344. Kluwer Acad. Publ, Dordrecht, S. 127-155. ISBN 0-7923-4728-5. Volltext nicht vorhanden.

1996

Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N. und West, Kenneth W. (1996) GaAs/AlGaAs quantum wire lasers and other low-dimensional structures fabricated by cleaved edge overgrowth. In: Helbig, Reinhard, (ed.) Festkörperprobleme. Advances in solid state physics, 35. Vieweg, Braunschweig, S. 155. ISBN 3-528-08043-4. Volltext nicht vorhanden.

Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N., West, Kenneth W., Littlewood, P., Narayan, O., Hagn, M., Dignam, M. M. und Leibenguth, R. E. (1996) Strong magnetic field dependence of laser emission from quantum wires formed by cleaved edge overgrowth. Solid-State Electronics 40 (1-8), S. 1-6. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

1995

Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N., West, Kenneth W., Pinczuk, A., Dignam, M. M., Hull, R. und Leibenguth, R. E. (1995) GaAs/AlGaAs quantum wire lasers fabricated by cleaved edge overgrowth. Journal of Crystal Growth 150 (1), S. 285-292. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Pfeiffer, Loren N., Baranger, D., Gershoni, D., Smith, K. und Wegscheider, Werner (1995) Binding of electrons and holes at quantum wires formed by T-intersecting quantum wells. In: Eberl, Karl und Petroff, Pierre M. und Deemester, Piet, (eds.) Low dimensional structures prepared by epitaxial growth or regrowth on patterned substrates. NATO ASI series: Series E; Applied sciences, 298. Kluwer Acad. Publ., Dordrecht, S. 93. ISBN 0-7923-3679-8. Volltext nicht vorhanden.

Pfeiffer, Loren N., Wegscheider, Werner und West, Kenneth W. (1995) Quantum wire lasers fabricated by cleaved edge overgrowth. In: Gil, Bernard und Aulombard, Roger-Louis, (eds.) Semiconductor heteroepitaxy: growth characterization and device applications, Montpellier, France, 4 - 7 July 1995. World Scientific, Singapur. ISBN 981-022479-6. Volltext nicht vorhanden.

Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N. und West, Kenneth W. (1995) Simulation of molecular beam epitaxial growth over nonplanar surfaces. In: Eberl, Karl und Petroff, Pierre M. und Deemester, Piet, (eds.) Low dimensional structures prepared by epitaxial growth or regrowth on patterned substrates. NATO ASI series: Series E; Applied sciences, 298. Kluwer Acad. Publ., Dordrecht, S. 283. ISBN 0-7923-3679-8. Volltext nicht vorhanden.

1994

Kane, B. E., Eisenstein, J. P., Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N. und West, Kenneth W. (1994) Separately contacted electron-hole double layer in a GaAs/AlxGa1−xAs heterostructure. Applied Physics Letters 65 (25), S. 3266-3268. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Katz, M., Gershoni, D., Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N. und Logan, R. A. (1994) Exciton Dynamics in Cleaved Edge Overgrown Quantum Wires. In: 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, 15. -19. August 1994, Vancouver, Kanada. Volltext nicht vorhanden.

Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N., Dignam, M. M., Pinczuk, A., West, Kenneth W. und Hull, R. (1994) Stimulated emission in quantum wires fabricated by cleaved edge overgrowth. In: SPIE Symposium on Optoelectronics and Microwave Engineering, 24. - 25. Januar 1994, Los Angeles. Volltext nicht vorhanden.

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