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Publikationen von Vogl, P.

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Anzahl der Einträge: 7.

2009

Kugler, M., Andlauer, T., Korn, Tobias, Wagner, Christoph, Fehringer, S., Schulz, Robert, Kubová, M., Gerl, Christian, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner, Vogl, P. und Schüller, Christian (2009) Gate control of low-temperature spin dynamics in two-dimensional hole systems. Physical Review B (PRB) 80 (3), 035325. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

2004

Schuster, Robert, Hajak, H., Reinwald, Matthias, Wegscheider, Werner, Schedelbeck, Gert, Sedlmaier, S., Stopa, M., Birner, S., Vogl, P., Bauer, J., Schuh, Dieter, Bichler, Max und Abstreiter, Gerhard (2004) Optical properties of low-dimensional semiconductor systems fabricated by cleaved edge overgrowth. physica status solidi (c) 1 (8), S. 2028-2055. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Bougeard, Dominique, Tan, P. H., Sabathil, M., Vogl, P., Abstreiter, Gerhard und Brunner, K. (2004) Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots. Physica E 21, S. 312. Volltext nicht vorhanden.

1993

Olajos, Janos, Abstreiter, Gerhard, Schorer, R., Vogl, P. und Wegscheider, Werner (1993) Properties of Sn/Ge superlattices. Semiconductor Science and Technology 8 (1S ), S. 6-8. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

1992

Vogl, P., Olajos, Janos, Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (1992) Electronic structure and optical properties of short-period α-SnnGem superlattices. Surface Science 267 (1-3), S. 83-86. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

1991

Olajos, Janos, Vogl, P., Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (1991) Infrared optical properties and band structure of α-Sn/Ge superlattices on Ge substrates. Physical Review Letters 67 (22), S. 3164-3167. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

1990

Wegscheider, Werner, Eberl, Karl, Menczigar, U., Olajos, Janos und Vogl, P. (1990) Highly strained alpha-Sn/Ge superlattices: new man-made semiconductors. In: Anastassakis, E. M., (ed.) 20th International Conference on the Physics of Semiconductor; Thessaloniki, Greece; August 6 - 10, 1990. Band 2. World Scientific, Singapur, S. 1685-1688. ISBN 981-02-0290-3. Volltext nicht vorhanden.

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