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Ion-Beam-Induced Atomic Mixing in Ge, Si, and SiGe, Studied by Means of Isotope Multilayer Structures

Radek, Manuel, Liedke, Bartosz, Schmidt, Bernd, Voelskow, Matthias, Bischoff, Lothar, Hansen, John Lundsgaard, Larsen, Arne Nylandsted und Bougeard, Dominique (2017) Ion-Beam-Induced Atomic Mixing in Ge, Si, and SiGe, Studied by Means of Isotope Multilayer Structures. Materials 10, S. 813.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 03 Jul 2018 13:29

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Andere URL zum Volltext: http://www.mdpi.com/1996-1944/10/7/813


Zusammenfassung

Crystalline and preamorphized isotope multilayers are utilized to investigate the dependence of ion beam mixing in silicon (Si), germanium (Ge), and silicon germanium (SiGe) on the atomic structure of the sample, temperature, ion flux, and electrical doping by the implanted ions. The magnitude of mixing is determined by secondary ion mass spectrometry. Rutherford backscattering spectrometry in ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2017
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.3390/ma10070813DOI
Stichwörter / Keywords:silicon; germanium; ion beam; atomic mixing; thermal spike; radiation enhanced diffusion; amorphization; recrystallization; molecular dynamics
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Dokumenten-ID:37446
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