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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-374460
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.37446
Zusammenfassung
Crystalline and preamorphized isotope multilayers are utilized to investigate the dependence of ion beam mixing in silicon (Si), germanium (Ge), and silicon germanium (SiGe) on the atomic structure of the sample, temperature, ion flux, and electrical doping by the implanted ions. The magnitude of mixing is determined by secondary ion mass spectrometry. Rutherford backscattering spectrometry in ...
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