Anzahl der Einträge: 7.
Gmeinwieser, Nikolaus,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Ulrich,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Engl, Karl,
Weimar, A.,
Brüderl, G.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2006)
Long range strain and electrical potential induced by single edge dislocations in GaN.
Physica B Condensed Matter 376-37, S. 451-454.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Engl, Karl,
Beer, Martin,
Gmeinwieser, Nikolaus,
Schwarz, Ulrich,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, Stephan,
Miler, A.,
Lugauer, H.-J.,
Brüderl, G.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Engl, Karl,
Beer, Martin,
Gmeinwieser, Nikolaus,
Schwarz, Ulrich,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Miler, A.,
Lugauer, H.,
Brüderl, G.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Gmeinwieser, Nikolaus,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Ulrich,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Weimar, Andreas,
Brüderl, G.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2005)
Local strain and potential distribution induced by single dislocations in GaN.
Journal of Applied Physics 98 (11), S. 116102.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Gmeinwieser, N.,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Uli,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Weimar, A.,
Brüderl, G.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Single dislocation induced strain in GaN.
Journal of Appli
ed Physics 98, S. 116102.
Volltext nicht vorhanden.
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Ulrich,
Gmeinwieser, Nikolaus und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
physica status solidi a 194 (2), S. 419-422.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Uli,
Gmeinwieser, N. und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
phys. stat. sol. (a) 194, S. 419.
Volltext nicht vorhanden.
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