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Gmeinwieser, N. und Schwarz, Uli (2007) Strain of single edge dislocations in bulk GaN. Physica Status Solidi (B). Volltext nicht vorhanden.

Gmeinwieser, N., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Wegscheider, Werner, Clos, R., Krtschil, A., Krost, A., Weimar, A., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2005) Single dislocation induced strain in GaN. Journal of Appli ed Physics 98, S. 116102. Volltext nicht vorhanden.

Gmeinwieser, N., Engl, K., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate. Journal of Appli ed Physics 96, J. Appl. Phys.. Volltext nicht vorhanden.

Gmeinwieser, N., Engl, K., Schwarz, Uli, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2004) Strain, wing tilt and Photoluminescence in ELOG GaN on SiC substrates. phys. stat. sol. (a) 201, S. 2760. Volltext nicht vorhanden.

Kümmler, V., Brüderl, G., Bader, S., Miller, S., Weimar, A., Lell, A., Härle, V., Schwarz, Uli, Gmeinwieser, N. und Wegscheider, Werner (2002) Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes. phys. stat. sol. (a) 194, S. 419. Volltext nicht vorhanden.

Diese Liste wurde erzeugt am Thu Mar 28 16:42:01 2024 CET.
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