Anzahl der Einträge: 10.
Artikel
Bray, C.,
Maussang, K.,
Consejo, C.,
Delgado-Notario, J. A.,
Krishtopenko, S.,
Yahniuk, I.,
Gebert, S. ,
Ruffenach, S.,
Dinar, K.,
Moench, E.,
Eroms, J. ,
Indykiewicz, K.,
Jouault, B.,
Torres, J. ,
Meziani, Y. M.,
Knap, W.,
Yurgens, A.,
Ganichev, S. D. und
Teppe, F.
(2022)
Temperature-dependent zero-field splittings in graphene.
Physical Review B 106 (24).
Volltext nicht vorhanden.
Sai, P. ,
Potashin, S. O.,
Szoła, M. ,
Yavorskiy, D. ,
Cywiński, G. ,
Prystawko, P. ,
Łusakowski, J.,
Ganichev, S. D. ,
Rumyantsev, S.,
Knap, W. und
Kachorovskii, V. Yu.
(2021)
Beatings of ratchet current magneto-oscillations in GaN-based grating gate structures: Manifestation of spin-orbit band splitting.
Physical Review B 104 (4).
Volltext nicht vorhanden.
Hubmann, Stefan,
Budkin, G. V. ,
Otteneder, M.,
But, D. ,
Sacré, Daniel ,
Yahniuk, I.,
Diendorfer, K ,
Bel'kov, V. V.,
Kozlov, D. A.,
Mikhailov, N. N.,
Dvoretsky, S. A.,
Varavin, V. S. ,
Remesnik, V. G.,
Tarasenko, S. A.,
Knap, W. und
Ganichev, Sergey
(2020)
Symmetry breaking and circular photogalvanic effect in epitaxial CdxHg1-xTe films.
Phys. Rev. Materials 4, 043607.
Dyakonova, N.,
Faltermeier, P.,
But, D. B. ,
Coquillat, D.,
Ganichev, S. D.,
Knap, W.,
Szkudlarek, K. und
Cywinski, G.
(2016)
Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector.
Journal of Applied Physics 120 (16), S. 164507.
Volltext nicht vorhanden.
But, D. B.,
Drexler, C.,
Sakhno, M. V.,
Dyakonova, N.,
Drachenko, O.,
Sizov, F. F.,
Gutin, A.,
Ganichev, Sergey und
Knap, W.
(2014)
Nonlinear photoresponse of field effect transistors terahertz detectors at high irradiation intensities.
Journal of Applied Physics 115 (16), S. 164514.
Volltext nicht vorhanden.
Drexler, Christoph,
Dyakonova, Nina,
Olbrich, Peter,
Karch, Johannes,
Schafberger, Michael,
Karpierz, K.,
Mityagin, Yu,
Lifshits, M. B.,
Teppe, F.,
Klimenko, O.,
Meziani, Y. M.,
Knap, W. und
Ganichev, Sergey
(2012)
Helicity sensitive terahertz radiation detection by field effect transistors.
Journal of Applied Physics 111 (12), S. 124504.
Buchkapitel
Knap, W.,
But, D. B.,
Dyakonova, N.,
Coquillat, D.,
Gutin, A.,
Klimenko, O.,
Blin, S.,
Teppe, F.,
Shur, M. S.,
Nagatsuma, T.,
Ganichev, Sergey und
Otsuji, T.
(2014)
Recent Results on Broadband Nanotransistor Based THz Detectors.
In:
Corsi, C. und
Sizov, F., (eds.)
THz and Security Applications. Detectors, Sources and Associated Electronics for THz Applications.
NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics.
Springer Science + Business Media, Dordrecht, Netherlands, S. 189-210.
ISBN 978-94-017-8830-4 (PB).
Volltext nicht vorhanden.
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Drexler, C.,
Dyakonova, N.,
Schafberger, M.,
Kapierz, K.,
Karch, J.,
Videlier, H.,
Meziani, Y.,
Olbrich, P.,
Knap, W. und
Ganichev, Sergey
(2010)
Detection of high power THz radiation by GaAs high electron mobility and Si field effect transistors.
In: 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 5 - 10 Sept. 2010, Angelicum, Rome, Italy.
Volltext nicht vorhanden.
Datensatz
Drexler, Christoph,
Dyakonova, Nina,
Olbrich, Peter,
Karch, Johannes,
Schafberger, Michael,
Karpierz, K.,
Mityagin, Yu,
Lifshits, M. B.,
Teppe, F.,
Klimenko, O.,
Meziani, Y. M.,
Knap, W. und
Ganichev, Sergey
(2015)
Data archive of Journal of Applied Physics 111, 124504.
[Datensatz]
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Anderes
Ganichev, Sergey,
Drexler, C.,
Dyakonova, N.,
Knap, W.,
Teppe, F. und
Klimenko, O.
(2012)
Terahertz polarization analyzer based on field effect transistors.
Submitted to the CNRS patent office.
Volltext nicht vorhanden.
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