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Publikationen von Sabathil, M.
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Anzahl der Einträge: 4.
Nirschl, Anna, Gomez-Iglesias, Alvaro, Sabathil, M., Hartung, Georg, Off, Jürgen und Bougeard, Dominique
(2014)
Quantitative modeling of the temperature-dependent internal Quantum Efficiency in InGaN light emitting diodes.
Phys. Status Solidi A.
Binder, M., Nirschl, A., Zeisel, R., Hager, T., Lugauer, H.-J., Sabathil, M., Bougeard, Dominique, Wagner, J. und Galler, B.
(2013)
Identification of nnp and npp Auger recombination as significant contributor to the efficiency droop in (GaIn)N quantum wells by visualization of hot carriers in photoluminescence.
Applied Physics Letters 103, 071108.
Laubsch, A., Sabathil, M., Bruederl, G., Wagner, J., Strassburg, M., Baur, E., Braun, Harald, Schwarz, Uli, Lell, A., Lutgen, S., Linder, N., Oberschmid, R. und Hahn, B.
(2007)
Measurement of the internal quantum efficiency of InGaN quantum wells.
Proc. SPIE 6486, 64860J.
Volltext nicht vorhanden.
Bougeard, Dominique, Tan, P. H., Sabathil, M., Vogl, P., Abstreiter, Gerhard und Brunner, K.
(2004)
Resonant Raman scattering of discrete hole states in self-assembled Si/Ge quantum dots.
Physica E 21, S. 312.
Volltext nicht vorhanden.
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