Anzahl der Einträge: 1.
2000
Kaiser, S.,
Jakob, M.,
Zweck, J.,
Gebhardt, W.,
Ambacher, O.,
Dimitrov, R.,
Schremer, A. T.,
Smart, J. A. und
Shealy, J. R.
(2000)
Structural properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrates suitable for high-electron mobility transistors.
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 18 (2), S. 733-740.
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