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Artikel
Mohajerani, M. S.,
Khachadorian, S.,
Schimpke, T.,
Nenstiel, C.,
Hartmann, J.,
Ledig, J.,
Avramescu, A.,
Strassburg, M.,
Hoffmann, A. und
Waag, A.
(2016)
Evaluation of local free carrier concentrations in individual heavily-doped GaN:Si micro-rods by micro-Raman spectroscopy.
Applied Physics Letters 108 (9), 091112.
Volltext nicht vorhanden.
Yu, F.,
Rümmler, D.,
Hartmann, J.,
Caccamo, L.,
Schimpke, T.,
Strassburg, M.,
Gad, A. E.,
Bakin, A.,
Wehmann, H.-H.,
Witzigmann, B.,
Wasisto, H. S. und
Waag, A.
(2016)
Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires.
Applied Physics Letters 108 (21), S. 213503.
Volltext nicht vorhanden.
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