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Optical transitions in strained Ge/Si superlattices

Schmidt, U., Humlíček, J., Lukes, F., Cardona, M., Presting, H., Kibbel, H., Kasper, E., Eberl, Karl, Wegscheider, Werner und Abstreiter, Gerhard (1992) Optical transitions in strained Ge/Si superlattices. Thin Solid Films 222 (1-2), S. 246-250.

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Zusammenfassung

Band-to-band infrared absorption has been studied in a series of Sn1Gem (m=11, 15, and 21) strained layer superlattices for the first time. The absorption coefficient shows a quadratic increase with two onsets, characteristic for indirect transitions. From a numerical fit to the absorption spectra, band gap energies are determined in the energy range between 0.55 and 0.75 eV, in accordance with ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:16 Dezember 1992
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0040-6090(92)90078-PDOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 14:05
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:22
Dokumenten-ID:10005
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