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In-plane Raman scattering of [001]-grown Si/Ge superlattices

Schorer, R., Wegscheider, Werner, Eberl, Karl, Kasper, E., Kibbel, H. und Abstreiter, Gerhard (1992) In-plane Raman scattering of [001]-grown Si/Ge superlattices. Thin Solid Films 222 (1-2), S. 269-273.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Okt 2009 14:07

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Zusammenfassung

We present a micro-Raman study of short-period [001] Si/Ge superlattices. The submicron spatial resolution of this technique enables in-plane scattering geometries, thus overcoming the severe limitations of conventional Raman set-ups for backscattering from the growth surface, where only longitudinal modes can be observed. We were able to study the complete phonon spectrum consisting of confined ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:16 Dezember 1992
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0040-6090(92)90083-NDOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Dokumenten-ID:10009
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