Ferroelektrische Transistoren gelten als viel versprechende Bauelemente im Hinblick auf die Entwicklung neuer, nicht-flüchtiger mikroelektronischer Speicher. In dieser Arbeit werden Möglichkeiten zum Bau solcher Transistoren und daraus bestehender Speicher untersucht. Behandelt werden insbesondere Fragen des Transistoraufbaus, der Materialauswahl, der Herstellung und Charakterisierung, aber auch die Integration ferroelektrischer Feldeffekttransistoren, also der Aufbau von Zellenfeldern eines Speichers.
Zum Abschluss werden neue Ideen rund um den ferroelektrischen Transistor vorgestellt, die im Rahmen dieser Arbeit entstanden sind.

The ferroelectric field effect transistor is considered a promising candidate for future non-volatile memories in microelectronics.
In this work we investigate different possibilities for building a ferroelectric transistor and memory cells composed of such transistors.
Special emphasis is put on transistor gate stack design, materials to be used, processing and characterization of gate stacks, and finally also on the integration of such devices into memory cells.
New ideas and concepts around the ferroelectric transistor are presented.