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Beiträge zum ferroelektrischen Transistor und zu dessen Integration in nicht-flüchtige Speicher

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-5282
DOI to cite this document:
10.5283/epub.10321
Haneder, Thomas
Date of publication of this fulltext: 07 Jul 2005 06:59


Abstract (German)

Ferroelektrische Transistoren gelten als viel versprechende Bauelemente im Hinblick auf die Entwicklung neuer, nicht-flüchtiger mikroelektronischer Speicher. In dieser Arbeit werden Möglichkeiten zum Bau solcher Transistoren und daraus bestehender Speicher untersucht. Behandelt werden insbesondere Fragen des Transistoraufbaus, der Materialauswahl, der Herstellung und Charakterisierung, aber auch ...

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Translation of the abstract (English)

The ferroelectric field effect transistor is considered a promising candidate for future non-volatile memories in microelectronics. In this work we investigate different possibilities for building a ferroelectric transistor and memory cells composed of such transistors. Special emphasis is put on transistor gate stack design, materials to be used, processing and characterization of gate stacks, ...

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