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Der magnetische Tunneltransistor mit epitaktischer Schottkybarriere

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-5482
DOI to cite this document:
10.5283/epub.10337
Hagler, Thomas
Date of publication of this fulltext: 13 Sep 2005 07:01


Abstract (German)

In der vorliegenden Arbeit wird die Herstellung und Analyse von magnetischen Tunneltransistoren (MTTs) mit epitaktischer Schottkybarriere beschrieben. Das Schichtsystem, aus dem der MTT aufgebaut ist, besteht dabei aus drei Teilsystemen: Durch einen Al2O3-Tunnelkontakt werden heiße Elektronen in das System injiziert (Emitter). Im NiFe/Cu/CoFe-Spinvalve findet der spinabhängige Transport heißer ...

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Translation of the abstract (English)

This work reports on fabrication and characterization of magnetic tunnel transistors (MTTs) with an epitaxial Schottky barrier. The MTT consists of three subsystems: Hot electrons are injected into the system through an Al2O3-tunnelling junction (emitter). Spin dependent transport of hot electrons takes place in the NiFe/Cu/CoFe-spin-valve (basis). Finally, the Schottky barrier between the ...

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