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Tunneln durch einkristalline Galliumarsenid-Barrieren

Zenger, Marcus (2006) Tunneln durch einkristalline Galliumarsenid-Barrieren. PhD, Universität Regensburg.

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Date of publication of this fulltext: 15 Sep 2006 07:49

Abstract (German)

In dieser Arbeit wurden Tunnelkontakte mit einkristalliner GaAs-Barriere untersucht. Der Tunnelmagnetowiderstand (TMR) in Ferromagnet/GaAs/Ferromagnet-Kontakten hängt dabei sehr sensitiv von der Grenzfläche ab. Eine starke Welligkeit der Barriere kann beispielsweise aufgrund der Orange-Peel-Kopplung zu einer ferromagnetischen Kopplung der Fe-Elektroden und damit zu einer Unterdrückung des ...


Translation of the abstract (English)

This thesis reports on the fabrication and characterization of magnetic tunnel junctions with single-crystal GaAs-barriers. It is demonstrated, that the tunneling magnetoresistance (TMR) of ferromagnet/GaAs/ferromagnet junctions is especially sensitive to the interface. A strong undulation of the barrier leads to a suppression of the TMR due to orange-peel-coupling between the ferromagnetic ...


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Item type:Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Date:14 September 2006
Referee:Dieter (Prof. Dr.) Weiss
Date of exam:10 March 2006
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Chair Professor Weiss > Group Dieter Weiss
Keywords:Tunneleffekt , Eisen , Galliumarsenid , Tunnelmagnetowiderstand , Metall-Halbleiter-Kontakt , Halbleiteroberfläche , Halbleiterschicht , Drei-Fünf-Halbleiter , Tunnelkontakt , Magnetisches Tunnelelement , Metall-Isolator-Metall-System , Hochfeldmagnetowiderstand , highfield magnetoresistance
Dewey Decimal Classification:500 Science > 530 Physics
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Item ID:10460
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