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Tunneln durch einkristalline Galliumarsenid-Barrieren

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-7006
DOI to cite this document:
10.5283/epub.10460
Zenger, Marcus
Date of publication of this fulltext: 15 Sep 2006 07:49


Abstract (German)

In dieser Arbeit wurden Tunnelkontakte mit einkristalliner GaAs-Barriere untersucht. Der Tunnelmagnetowiderstand (TMR) in Ferromagnet/GaAs/Ferromagnet-Kontakten hängt dabei sehr sensitiv von der Grenzfläche ab. Eine starke Welligkeit der Barriere kann beispielsweise aufgrund der Orange-Peel-Kopplung zu einer ferromagnetischen Kopplung der Fe-Elektroden und damit zu einer Unterdrückung des ...

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Translation of the abstract (English)

This thesis reports on the fabrication and characterization of magnetic tunnel junctions with single-crystal GaAs-barriers. It is demonstrated, that the tunneling magnetoresistance (TMR) of ferromagnet/GaAs/ferromagnet junctions is especially sensitive to the interface. A strong undulation of the barrier leads to a suppression of the TMR due to orange-peel-coupling between the ferromagnetic ...

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