Für die Realisierung von Spintransistoren ist die genaue Kenntnis der Ferromagnet Halbleitergrenzfläche wichtig. Mit Hilfe der Ballistischen Elektronen Emissions Mikroskopie kann eine vergrabene Grenzfläche mit einer Auflösung im Nanometerbereich charakterisiert werden. In dieser Arbeit wurden verschiedene Ferromagnet/GaAs(110) Grenzflächen hinsichtlich ihrer Homogenität untersucht und die mittleren lokalen Schottkybarrierenhöhen (SBH) bestimmt. Aus der Verteilung der lokalen SBH wurde weiterhin eine resultierende SBH berechnet und mit der aus konventionellen integralen Strom Spannungs Kennlinien ermittelten SBH verglichen. Der Stromfluss über die Grenzfläche wird durch die Bereiche niedriger SBH dominiert.

Es wurden weiterhin Messungen an (AlGaAs/GaAs) Heterostrukturen durchgeführt. Die verwendete Heterostruktur beinhaltet Bereiche, in denen sich 50nm breite AlGaAs/GaAs Schichten abwechseln. Die Ergebisse der BEEM Messungen zeigen, dass die GaAs QWs von AlGaAs Barrieren begrenzt werden. Die Übergangszone kann auf 10nm abgeschätzt werden.

For current research on spintransistors it is important to know the caracteristics of ferromagnet semiconductor interfaces.
The ballistic electron emission microscopy (BEEM) is a method to investigate such a buried interface with nanometer resolution. In this work several Ferromagnet/GaAs(110) interfaces have been analysed concerning their homogeneity and mean local schottkybarrierheights (SBH) have been determined. In Addition, the resulting integral SBH was calculated from the distribution of the local SBHs and compared with the SBH determined from voltage/current characteristics. The areas with a low SBH dominate the current conduction across the interface.

Additional BEEM measurements on (AlGaAs/GaAs) heterostructures have been performed. This heterostructures consist of 50nm AlGaAs/GaAs layers. The results of the BEEM measurements indicate, that the GaAs QWs are defined by AlGaAs barrieres. The transition from AlGaAs to GaAs is done within 10nm.