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Herstellung und Charakterisierung von Mangan dotierten III-V Halbleiterheterostrukturen

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-9851
DOI to cite this document:
10.5283/epub.10746
Wurstbauer, Ursula
Date of publication of this fulltext: 09 Jun 2008 16:25


Abstract (German)

Gegenstand dieser Arbeit ist das Wachstums von Mangan dotierten III-V Halbleiterheterostrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie. Die Charakterisierung erfolgte im Wesentlichen mit Magnetotransportmessungen bei Temperaturen von 300K bis 20mK und Magnetfeldern bis 19T. Es wurden zum einen ferromagnetische GaMnAs Schichten und zum anderen mit Mn magnetisch modulationsdotierte zweidimensionale ...

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Translation of the abstract (English)

Subject of this thesis is the growth of III-V heterostructures doped with manganese by means of molecular beam epitaxy (MBE). The characterization was done primarily by magnetotransport measurements in the temperature range from 300K to 20mK and fields up to 19T. Two different kind of Mn doped materials, ferromagnetic GaMnAs layers and Mn modulation doped magnetic two dimensional hole systems ...

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