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Terahertzlaserinduzierte Photogalvanische Effekte in Halbleiter-Quantenfilmen und deren Anwendung

Weber, Wolfgang (2008) Terahertzlaserinduzierte Photogalvanische Effekte in Halbleiter-Quantenfilmen und deren Anwendung. PhD, Universität Regensburg.

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Date of publication of this fulltext: 03 Sep 2008 16:29

Abstract (German)

In dieser Arbeit wurden erstmals GaN/AlGaN-Strukturen mittels der photogalvanischen Effekte untersucht. Zu diesem Zweck wurde einer der weltweit stärksten gepulsten Laser im Terahertzbereich aufgebaut und ein computergesteuertes Messystem entwickelt. Darüberhinaus wird in dieser Arbeit eine Anwendung der photogalvanischen Effekte vorgestellt, eine Detektoranordnung, die es erlaubt auf rein elektrische Art die Polarisationseigenschaften von Terahertzstrahlung zu erfassen.

Translation of the abstract (English)

In this work photogalvanic effects where investigated in GaN/AlGaN heterostructures for the first time. For this purpose one of the strongest pulsed terahertz-lasers in the world was built and a computer controlled measurement system was developed. Additionally in this work an application of photogalvanic effects is presented, a pure-electric detection system, which allowes to determine the polarisation state of terahertz radiation in sub-nanosecond time resolution.


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Item type:Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Date:2 September 2008
Referee:Prof. Dr. Sergey Ganichev
Date of exam:25 July 2008
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Professor Ganichev > Group Sergey Ganichev
Keywords:Laser , Kohlendioxidlaser , Freie-Elektronen-Laser , Dauerstrichlaser , Halbleiter , Becquerel-Photoeffekt , Quantenwell , Terahertz , photogalvanisch , Quantenfilm , Quantentrog , terahertz , photogalvanic , quantumwell
Dewey Decimal Classification:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Item ID:10781
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