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Separately contacted electron-hole double layer in a GaAs/AlxGa1−xAs heterostructure
Kane, B. E., Eisenstein, J. P., Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N. und West, Kenneth W. (1994) Separately contacted electron-hole double layer in a GaAs/AlxGa1−xAs heterostructure. Applied Physics Letters 65 (25), S. 3266-3268.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 02 Nov 2009 13:19
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.10834
Zusammenfassung
We describe a method for creating closely spaced parallel two-dimensional electron and hole gases confined in 200 Å GaAs wells separated by a 200 Å wide AlxGa1−xAs barrier. Low-temperature ohmic contacts are made to both the electrons and holes, whose densities are individually adjustable between 1010/cm2 to greater than 1011/cm2.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Verlag: | American Institute of Physics | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 65 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 25 | ||||
| Seitenbereich: | S. 3266-3268 | ||||
| Datum | 19 Dezember 1994 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Verwandte URLs |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Dokumenten-ID | 10834 |
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