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GaAs/AlGaAs quantum wire lasers fabricated by cleaved edge overgrowth

Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N., West, Kenneth W., Pinczuk, A., Dignam, M. M., Hull, R. und Leibenguth, R. E. (1995) GaAs/AlGaAs quantum wire lasers fabricated by cleaved edge overgrowth. Journal of Crystal Growth 150 (1), S. 285-292.

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Zusammenfassung

We have used the molecular beam growth technique which we call “cleaved edge overgrowth” to fabricate quantum wire lasers, in which 1D quantum confinement is entirely defined by the growth process. The active region of our lasers consists of atomically precise quantum wires that form at the T-shaped intersections of 7 nm wide GaAs quantum wells grown along the [001] crystal axis and after an in ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1 Mai 1995
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0022-0248(95)80222-XDOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Nov 2009 14:09
Zuletzt geändert:19 Dez 2016 11:58
Dokumenten-ID:10835
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