Wegscheider, Werner, Pfeiffer, Loren N., West, Kenneth W., Pinczuk, A., Dignam, M. M., Hull, R. und Leibenguth, R. E. (1995) GaAs/AlGaAs quantum wire lasers fabricated by cleaved edge overgrowth. Journal of Crystal Growth 150 (1), S. 285-292.
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Zusammenfassung
We have used the molecular beam growth technique which we call “cleaved edge overgrowth” to fabricate quantum wire lasers, in which 1D quantum confinement is entirely defined by the growth process. The active region of our lasers consists of atomically precise quantum wires that form at the T-shaped intersections of 7 nm wide GaAs quantum wells grown along the [001] crystal axis and after an in ...
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 1 Mai 1995 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Dokumenten-ID: | 10835 |
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