Startseite UR

Lateral tunneling through the controlled barrier between edge channels in a two-dimensional electron system

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.11011
Shashkin, A. A. ; Dolgopolov, V. T. ; Deviatov, E. V. ; Irmer, B. ; Haubrich, A. G. C. ; Kotthaus, J. P. ; Bichler, Max ; Wegscheider, Werner
[img]PDF
(280kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 30 Nov 2009 13:13


Zusammenfassung

A study is made of the lateral tunneling between edge channels at the depletion-induced edges of a gated two-dimensional electron system, through a gate-voltage-controlled barrier arising when the donor layer of the heterostructure is partly removed along a fine strip by means of an atomic force microscope. For a sufficiently high barrier the typical current-voltage characteristic is found to be ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner