Lüscher, S., Fuhrer, A., Held, R., Heinzel, Thomas H., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2000) In-plane Gate Single Electron Transistor Fabricated by AFM Lithography. Journal of Low Temperature Physics 118 (5-6), S. 333-342.
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Zusammenfassung
Coulomb blockade is observed in semiconductor quantum dotsfabricated by scanning probe lithography. We demonstrate thatby combining top gates with in-plane gates, the lithographicshape of a dot can be transferred into the electron gas withhigh accuracy. Furthermore, by applying voltages to the in-plane gates, the number of electrons on the dot can be changedby more than 70 without changing its ...
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | Mai 2000 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Klassifikation: |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Eingebracht am: | 30 Nov 2009 13:23 | ||||
| Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:23 | ||||
| Dokumenten-ID: | 11041 |
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