Lüscher, S., Fuhrer, A., Held, R., Heinzel, Thomas H., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2000) In-plane Gate Single Electron Transistor Fabricated by AFM Lithography. Journal of Low Temperature Physics 118 (5-6), S. 333-342.
![[img]](https://epub.uni-regensburg.de/style/images/fileicons/application_pdf.png) | PDF Download (514kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs |
Zum Artikel beim Verlag (über DOI)
Zusammenfassung
Coulomb blockade is observed in semiconductor quantum dotsfabricated by scanning probe lithography. We demonstrate thatby combining top gates with in-plane gates, the lithographicshape of a dot can be transferred into the electron gas withhigh accuracy. Furthermore, by applying voltages to the in-plane gates, the number of electrons on the dot can be changedby more than 70 without changing its ...
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | Mai 2000 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer: |
| ||||
| Klassifikation: |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Dokumenten-ID: | 11041 |
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
Downloadstatistik