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In-plane Gate Single Electron Transistor Fabricated by AFM Lithography

Lüscher, S., Fuhrer, A., Held, R., Heinzel, Thomas H., Ensslin, Klaus, Wegscheider, Werner und Bichler, Max (2000) In-plane Gate Single Electron Transistor Fabricated by AFM Lithography. Journal of Low Temperature Physics 118 (5-6), S. 333-342.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 30 Nov 2009 13:23

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Zusammenfassung

Coulomb blockade is observed in semiconductor quantum dotsfabricated by scanning probe lithography. We demonstrate thatby combining top gates with in-plane gates, the lithographicshape of a dot can be transferred into the electron gas withhigh accuracy. Furthermore, by applying voltages to the in-plane gates, the number of electrons on the dot can be changedby more than 70 without changing its ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2000
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1023/A:1004685715921DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.23 HK, 85.40 Ux, 85.30 Vx, 85.40 HpPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Dokumenten-ID:11041
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