Reinwald, Matthias, Wurstbauer, Ursula, Döppe, Matthias, Kipferl, Wolfgang, Wagenhuber, K., Tranitz, Hans-Peter, Weiss, Dieter und Wegscheider, Werner (2005) Growth of (Ga,Mn)As on GaAs(0 0 1) and (3 1 1)A in a high-mobility MBE system. Journal of Crystal Growth 278 (1-4), S. 690-694.
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Zusammenfassung
We demonstrate the possibility to produce both GaAs/AlGaAs heterostructures with high electron mobilities and (Ga,Mn)As by molecular beam epitaxy (MBE) in the same growth chamber. The (Ga,Mn)As samples have been grown on (0 0 1) and (3 1 1)A GaAs substrates and show state of the art quality. Immediately after (Ga,Mn)As growth, two-dimensional electron systems have been produced which show ...

Bibliographische Daten exportieren
Dokumentenart: | Artikel | ||||
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Datum: | 1 Mai 2005 | ||||
Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
Identifikationsnummer: |
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Klassifikation: |
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Stichwörter / Keywords: | A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaMnAs; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting materials | ||||
Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
Status: | Veröffentlicht | ||||
Begutachtet: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
Eingebracht am: | 25 Jan 2010 13:04 | ||||
Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:24 | ||||
Dokumenten-ID: | 11979 |