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Cheng, J. L. ; Wu, M. W. ; Fabian, Jaroslav

Theory of the Spin Relaxation of Conduction Electrons in Silicon

Artikel

Cheng, J. L., Wu, M. W. und Fabian, Jaroslav (2010) Theory of the Spin Relaxation of Conduction Electrons in Silicon. Physical Review Letters (PRL) 104 (1), 016601.

DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.12028


Zusammenfassung

A realistic pseudopotential model is introduced to investigate the phonon-induced spin relaxation of conduction electrons in bulk silicon. We find a surprisingly subtle interference of the Elliott and Yafet processes affecting the spin relaxation over a wide temperature range, suppressing the significance of the intravalley spin-flip scattering, previously considered dominant, above roughly 120 ...

A realistic pseudopotential model is introduced to investigate the phonon-induced spin relaxation of conduction electrons in bulk silicon. We find a surprisingly subtle interference of the Elliott and Yafet processes affecting the spin relaxation over a wide temperature range, suppressing the significance of the intravalley spin-flip scattering, previously considered dominant, above roughly 120 K. The calculated spin relaxation times T-1 agree with the spin resonance and spin injection data, following a T-3 temperature dependence. The valley anisotropy of T-1 and the spin relaxation rates for hot electrons are predicted.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review Letters (PRL)
VerlagAMER PHYSICAL SOC
Open Access ArtSHERPA/RoMEO
Ort der VeröffentlichungCOLLEGE PK
Band104
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels1
Seitenbereich016601
Datum4 Januar 2010
Veröffentlichungsdatum13 Jan 2010 16:34
InstitutionenPhysik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.104.016601DOI
Stichwörter / KeywordsLATTICE RELAXATION; BAND STRUCTURE; SPINTRONICS; DIAMOND;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-120283
Dokumenten-ID12028

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