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Theory of the Spin Relaxation of Conduction Electrons in Silicon

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-120283
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.12028
Cheng, J. L. ; Wu, M. W. ; Fabian, Jaroslav
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PDF - Veröffentlichte Version
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 13 Jan 2010 16:34



Zusammenfassung

A realistic pseudopotential model is introduced to investigate the phonon-induced spin relaxation of conduction electrons in bulk silicon. We find a surprisingly subtle interference of the Elliott and Yafet processes affecting the spin relaxation over a wide temperature range, suppressing the significance of the intravalley spin-flip scattering, previously considered dominant, above roughly 120 ...

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