Startseite UR

Theory of the Spin Relaxation of Conduction Electrons in Silicon

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-120283

Cheng, J. L., Wu, M. W. und Fabian, Jaroslav (2010) Theory of the Spin Relaxation of Conduction Electrons in Silicon. Physical Review Letters (PRL) 104 (1), 016601.

[img]
Vorschau
PDF - Veröffentlichte Version
Download (1MB)

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)

Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.104.016601


Zusammenfassung

A realistic pseudopotential model is introduced to investigate the phonon-induced spin relaxation of conduction electrons in bulk silicon. We find a surprisingly subtle interference of the Elliott and Yafet processes affecting the spin relaxation over a wide temperature range, suppressing the significance of the intravalley spin-flip scattering, previously considered dominant, above roughly 120 ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:4 Januar 2010
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Projekte:SPP 1285: Halbleiter Spintronik
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.104.016601DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:13 Jan 2010 16:34
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:24
Dokumenten-ID:12028
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner