Carbon-doped high-mobility hole gases on (001) and (110) GaAs

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.12189

Gerl, Christian ; Schmult, Stefan ; Wurstbauer, Ursula ; Tranitz, H.-P. ; Mitzkus, Christian ; Wegscheider, Werner

PDF
(245kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 25 Jan 2010 13:14

Alternative Links zum Volltext:DOI

Details

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

Since Stormer and Tsang have introduced the two-dimensional hole gas (2DHG) in the GaAs/AlGaAs heterosystem, the choice of suitable dopants was limited to beryllium and silicon over the last 20 years. Both acceptor atoms have significant disadvantages, i.e., either high diffusion rates or a limitation to specific growth directions. Utilizing a carbon filament doping source we prepared ...

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloadstatistik

Altmetric

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

nach oben