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Rossler, C. ; Bichler, Max ; Schuh, Dieter ; Wegscheider, Werner ; Ludwig, S.

Laterally defined freely suspended quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructures

Rossler, C., Bichler, Max, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner und Ludwig, S. (2008) Laterally defined freely suspended quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructures. Nanotechnology 19 (16), S. 165201.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 25 Jan 2010 14:03
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.12508


Zusammenfassung

Free-standing beams containing a two-dimensional electron system are shaped from a GaAs/ AlGaAs heterostructure. Quantum point contacts and ( double) quantum dots are laterally defined using metal top gates. We investigate the electronic properties of these nanostructures by transport spectroscopy. Tunable localized electron states in freely suspended nanostructures are a promising tool to investigate the electron-phonon interaction.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftNanotechnology
Verlag:IOP PUBLISHING LTD
Ort der Veröffentlichung:BRISTOL
Band:19
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:16
Seitenbereich:S. 165201
Datum23 April 2008
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1088/0957-4484/19/16/165201DOI
Stichwörter / Keywords;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetUnbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstandenUnbekannt / Keine Angabe
Dokumenten-ID12508

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