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Laterally defined freely suspended quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructures
Artikel
Rossler, C., Bichler, Max, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner und Ludwig, S.
(2008)
Laterally defined freely suspended quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructures.
Nanotechnology 19 (16), S. 165201.
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.12508
Zusammenfassung
Free-standing beams containing a two-dimensional electron system are shaped from a GaAs/ AlGaAs heterostructure. Quantum point contacts and ( double) quantum dots are laterally defined using metal top gates. We investigate the electronic properties of these nanostructures by transport spectroscopy. Tunable localized electron states in freely suspended nanostructures are a promising tool to investigate the electron-phonon interaction.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Nanotechnology | ||||
| Verlag | IOP PUBLISHING LTD | ||||
| Ort der Veröffentlichung | BRISTOL | ||||
| Band | 19 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 16 | ||||
| Seitenbereich | S. 165201 | ||||
| Datum | 23 April 2008 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 25 Jan 2010 14:03 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | ; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Dokumenten-ID | 12508 |
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