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Gain spectra and current-induced change of refractice index in (In/Al)GaN diode lasers
Schwarz, Ulrich, Sturm, Evi, Wegscheider, Werner, Kümmler, V., Lell, Alfred und Härle, Volker (2003) Gain spectra and current-induced change of refractice index in (In/Al)GaN diode lasers. physica status solidi a 200 (1), S. 143-146.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 08 Feb 2010 13:45
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.12756
Zusammenfassung
Adapting the Hakki-Paoli method for blue laser diodes we measure gain spectra for (In/Al)GaN on SiC substrate laser diodes in the low carrier density regime. From the measured longitudinal mode spacing we calculate the effective refractive index and can exclude a mode spacing anomaly. We demonstrate that the substrate has a considerable influence on the modal gain.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | physica status solidi a | ||||
| Verlag: | John Wiley & Sons | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 200 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 1 | ||||
| Seitenbereich: | S. 143-146 | ||||
| Datum | Oktober 2003 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Klassifikation |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Dokumenten-ID | 12756 |
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