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Molecular-beam epitaxy of the half-Heusler alloy NiMnSb on (In,Ga)As/InP (001)
Bach, P., Bader, A. S., Ruster, C., Gould, C., Becker, C. R., Schmidt, G., Molenkamp, L. W., Weigand, W., Kumpf, C., Umbach, E., Urban, R., Woltersdorf, Georg und Heinrich, B. (2003) Molecular-beam epitaxy of the half-Heusler alloy NiMnSb on (In,Ga)As/InP (001). Applied Physics Letters 83 (3), S. 521-523.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Jul 2010 13:05
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.14945
Zusammenfassung
We report the growth of the half-Heusler alloy NiMnSb on InP (001) by molecular-beam epitaxy using a lattice-matched (In,Ga)As buffer. High-resolution x-ray diffraction confirms a high crystalline quality. Spot-profile analysis low-energy electron diffraction measurements show well-defined surface reconstructions. The samples show the expected high Curie temperature and an uniaxial anisotropy.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Verlag: | American Institute of Physics | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 83 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 521-523 | ||||
| Datum | Juli 2003 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back | ||||
| Themenverbund | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-149451 | ||||
| Dokumenten-ID | 14945 |
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