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Molecular-beam epitaxy of the half-Heusler alloy NiMnSb on (In,Ga)As/InP (001)

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-149451

Bach, P., Bader, A.S., Ruster, C., Gould, C., Becker, C.R., Schmidt, G., Molenkamp, L.W., Weigand, W., Kumpf, C., Umbach, E., Urban, R., Woltersdorf, Georg und Heinrich, B. (2003) Molecular-beam epitaxy of the half-Heusler alloy NiMnSb on (In,Ga)As/InP (001). Applied Physics Letters 83 (3), S. 521-523.

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Zusammenfassung

We report the growth of the half-Heusler alloy NiMnSb on InP (001) by molecular-beam epitaxy using a lattice-matched (In,Ga)As buffer. High-resolution x-ray diffraction confirms a high crystalline quality. Spot-profile analysis low-energy electron diffraction measurements show well-defined surface reconstructions. The samples show the expected high Curie temperature and an uniaxial anisotropy.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juli 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Themenverbund:Nicht ausgewählt
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1594286DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:19 Jul 2010 13:05
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:26
Dokumenten-ID:14945
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