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Bach, P. ; Bader, A. S. ; Ruster, C. ; Gould, C. ; Becker, C. R. ; Schmidt, G. ; Molenkamp, L. W. ; Weigand, W. ; Kumpf, C. ; Umbach, E. ; Urban, R. ; Woltersdorf, Georg ; Heinrich, B.

Molecular-beam epitaxy of the half-Heusler alloy NiMnSb on (In,Ga)As/InP (001)

Bach, P., Bader, A. S., Ruster, C., Gould, C., Becker, C. R., Schmidt, G., Molenkamp, L. W., Weigand, W., Kumpf, C., Umbach, E., Urban, R., Woltersdorf, Georg und Heinrich, B. (2003) Molecular-beam epitaxy of the half-Heusler alloy NiMnSb on (In,Ga)As/InP (001). Applied Physics Letters 83 (3), S. 521-523.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Jul 2010 13:05
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.14945


Zusammenfassung

We report the growth of the half-Heusler alloy NiMnSb on InP (001) by molecular-beam epitaxy using a lattice-matched (In,Ga)As buffer. High-resolution x-ray diffraction confirms a high crystalline quality. Spot-profile analysis low-energy electron diffraction measurements show well-defined surface reconstructions. The samples show the expected high Curie temperature and an uniaxial anisotropy.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftApplied Physics Letters
Verlag:American Institute of Physics
Band:83
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:3
Seitenbereich:S. 521-523
DatumJuli 2003
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
ThemenverbundNicht ausgewählt
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1063/1.1594286DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenUnbekannt / Keine Angabe
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-149451
Dokumenten-ID14945

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