Atomistic simulations of self-trapped exciton formation in silicon nanostructures: The transition from quantum dots to nanowires
Wang, Y., Zhang, R. Q., Frauenheim, Th. und Niehaus, Thomas A. (2009) Atomistic simulations of self-trapped exciton formation in silicon nanostructures: The transition from quantum dots to nanowires. J. Phys. Chem. C 113, S. 12935.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Mai 2010 09:03
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | J. Phys. Chem. C | ||||
| Band: | 113 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Seitenbereich: | S. 12935 | ||||
| Datum | 2009 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Nein | ||||
| Dokumenten-ID | 15007 |
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