Startseite UR

Atomistic simulations of self-trapped exciton formation in silicon nanostructures: The transition from quantum dots to nanowires

Wang, Y., Zhang, R. Q., Frauenheim, Th. und Niehaus, Thomas A. (2009) Atomistic simulations of self-trapped exciton formation in silicon nanostructures: The transition from quantum dots to nanowires. J. Phys. Chem. C 113, S. 12935.

Im Publikationsserver gibt es leider keinen Volltext zu diesem Eintrag.

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)

Andere URL zum Volltext: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp903898u


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:2009
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1021/jp903898uDOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:20 Mai 2010 09:03
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:26
Dokumenten-ID:15007
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner