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Intermittent breakdown of current-oscillation tori in n-type GaAs epitaxial layers

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-169382

Margull, U., Spangler, J. und Prettl, Wilhelm (1994) Intermittent breakdown of current-oscillation tori in n-type GaAs epitaxial layers. Physical Review B (PRB) 50 (19), S. 14166-14170.

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Zusammenfassung

Self-sustained current oscillations in high-purity n-type GaAs epitaxial layers were investigated for intermittent behavior in the control parameter plane constituted by the constant bias voltage and an external magnetic field. Intermittent windows were observed in a sequence of Hopf bifurcations. Quasiperiodic and frequency-locked oscillations were found to follow an intermittency type-II or ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:15 November 1994
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.50.14166DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.50.14166Verlag
Klassifikation:
NotationArt
05.45.+b, 72.20.Ht, 72.70.+mPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:04 Okt 2010 12:18
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:27
Dokumenten-ID:16938
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