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Magnetic-field-induced lateral displacements of current filaments in n-GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-169462

Spangler, J., Finger, B., Wimmer, C., Eberle, W. und Prettl, Wilhelm (1994) Magnetic-field-induced lateral displacements of current filaments in n-GaAs. Semiconductor Science and Technology 9 (4), S. 373-383.

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Zusammenfassung

The formation of current filaments in n-type GaAs due to the low temperature impurity breakdown has been investigated in crossed electric and magnetic fields with a laser scanning microscope. In a highly compensated, low mobility, epitaxial layer the lateral displacement and stretching of a filament due to the Lorentz force has been observed at currents slightly larger than those required to form ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:April 1994
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0268-1242/9/4/007DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.50.; 73.40.; 73.50.; 73.61.PACS
Stichwörter / Keywords:Semiconductors Surfaces, interfaces and thin films
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:04 Okt 2010 12:27
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:27
Dokumenten-ID:16946
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