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Magnetoresistance of n-GaAs at filamentary current flow

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-170469

Proshin, S. A., Golubev, V. G., Würfl, S., Spangler, J., Schilz, A. und Prettl, Wilhelm (1993) Magnetoresistance of n-GaAs at filamentary current flow. Semiconductor Science and Technology 8 (7), S. 1298.

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Zusammenfassung

A large number of sharp structures are observed in the 4.2 K magnetoresistance of n-GaAs biased above impurity breakdown in a regime where current flow is filamentary. Most of the structures cannot be attributed to spectral properties of the semiconductor such as impact excitation of shallow donors or the magnetoimpurity effect. Experimental results give evidence that these structures are caused ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juli 1993
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0268-1242/8/7/018DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.50.Jt; 68.55.Ln; 61.72.uj; 73.61.EyPACS
Stichwörter / Keywords:Semiconductors; Surfaces, interfaces and thin films; Condensed matter: structural, mechanical & thermal
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Okt 2010 12:09
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:27
Dokumenten-ID:17046
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