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Nonlinear effects and transient response of interband and subgap photoconductivity in polycrystalline silicon

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-173392

Bock, W. und Prettl, Wilhelm (1989) Nonlinear effects and transient response of interband and subgap photoconductivity in polycrystalline silicon. Journal of Applied Physics 66 (9), S. 4372.

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Zusammenfassung

The steady‐state photoconductance and the transient photoresponse of boron‐doped polycrystalline silicon films have been measured as a function of intensity at photon energies above and below the band gap applying several semiconductor lasers. The intensity dependence of the dc photosignal and the transient behavior are distinctly different for interband and subgap excitation. A kinetic model ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1989
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.343957DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/JAPIAU/v66/i9/p4372/s1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.61.Cw; 73.61.Jc; 73.61.Le; 71.20.-b; 72.40.+w; 42.65.-kPACS
Stichwörter / Keywords:SILICON, POLYCRYSTALS, FILMS, DOPED MATERIALS, BORON ADDITIONS, PHOTOCONDUCTIVITY, TRANSIENTS, STEADY−STATE CONDITIONS, NONLINEAR PROBLEMS, INTERBAND TRANSITIONS, MATHEMATICAL MODELS, GRAIN BOUNDARIES, RECOMBINATION, ENERGY−LEVEL DENSITY
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:18 Okt 2010 11:50
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:42
Dokumenten-ID:17339
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