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High power splitting of the cyclotron resonance induced photoconductivity in n-GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-173486
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.17348
Weispfenning, M. ; Bauer, A. ; Prettl, Wilhelm
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 18 Okt 2010 11:57


Zusammenfassung

In summary our results show that photoconductivity and optical absorption under cyclotron resonance conditions in high purity n-GaAs are more complex than it has been assumed previously. As cyclotron resonance can only be measured with non zero free electron concentration, and because the 2p – shallow donor level remains below the N=0 Landau level for all magnetic field strengths, a certain ...

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