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High power splitting of the cyclotron resonance induced photoconductivity in n-GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-173486

Weispfenning, M., Bauer, A. und Prettl, Wilhelm (1989) High power splitting of the cyclotron resonance induced photoconductivity in n-GaAs. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 10 (4), S. 457-474.

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Zusammenfassung

In summary our results show that photoconductivity and optical absorption under cyclotron resonance conditions in high purity n-GaAs are more complex than it has been assumed previously. As cyclotron resonance can only be measured with non zero free electron concentration, and because the 2p – shallow donor level remains below the N=0 Landau level for all magnetic field strengths, a certain ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1989
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1007/BF01013409DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:18 Okt 2010 11:57
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:41
Dokumenten-ID:17348
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