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Reconstruction of the spatial structure of current filaments in n‐GaAs in a magnetic field
Brandl, Andreas, Völcker, M. und Prettl, Wilhelm (1989) Reconstruction of the spatial structure of current filaments in n‐GaAs in a magnetic field. Applied Physics Letters 55 (3), S. 238.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 18 Okt 2010 11:59
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.17350
Zusammenfassung
The spatial pattern of current filaments generated by impurity breakdown has been investigated in a semiconductor for the first time as a function of the magnetic field. Large asymmetries of shallow impurity excited‐state population were observed occurring at opposite edges of a filament normal to the magnetic field. Deformation of filament boundaries evolves at very low field strengths being comparably small to those which destabilize current flow yielding current fluctuation and chaos.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Verlag: | American Institute of Physics | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 55 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 238 | ||||
| Datum | 1989 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Verwandte URLs |
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| Klassifikation |
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| Stichwörter / Keywords | IMPURITY STATES, EXCITATION, ELECTRIC CURRENTS, CHARGED−PARTICLE TRANSPORT, EXCITED STATES, GALLIUM ARSENIDES, DONORS, ELECTRON MOBILITY, FLUCTUATIONS, MAGNETOELECTRIC EFFECTS | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-173509 | ||||
| Dokumenten-ID | 17350 |
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