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Far-infrared radiation controlled chaos in n-GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-173545

Frank, U., Brandl, Andreas und Prettl, Wilhelm (1989) Far-infrared radiation controlled chaos in n-GaAs. Solid State Communications 69 (9), S. 891-894.

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Zusammenfassung

The effect of far-infrared irradiation on selfgenerated periodic and chaotic current fluctuations in the post-breakdown regimes of n-GaAs has been investigated at liquid helium temperature. In an external magnetic field of 40 mT the material showed a sequence of frequency-locked oscillations being ordered according to the Farey-Tree. Depending on the irradiation intensity a shifting and scaling of the bias voltage ranges of the frequency-locking states has been observed.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:März 1989
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0038-1098(89)90927-7DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:18 Okt 2010 12:03
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:27
Dokumenten-ID:17354
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