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Nonlinear subgap photoconductivity of polycrystalline silicon

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-173579

Bock, W. und Prettl, Wilhelm (1988) Nonlinear subgap photoconductivity of polycrystalline silicon. Applied Physics Letters 53 (2), S. 119.

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Zusammenfassung

The photoconductance of polycrystalline silicon films at photon energies smaller than the band gap has been measured as a function of intensity applying a 1.3 μm wavelength semiconductor laser. The observed photosignal increases superlinearly at low intensities and saturates above about 1.5 W/cm−2. This distinct nonlinearity is caused by a significant energy dependence of optical to thermal cross ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1988
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.100393DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/APPLAB/v53/i2/p119/s1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.50.Pz; 73.61.Cw; 73.61.Jc; 73.61.Le; 71.20.MqPACS
Stichwörter / Keywords:SILICON, THIN FILMS, PHOTOCONDUCTIVITY, TRAPS, ENERGY GAP, GRAIN BOUNDARIES, POLYCRYSTALS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:18 Okt 2010 12:05
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:27
Dokumenten-ID:17357
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