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Photoconductive infrared excitation spectrum of GaP diode wafers and application as an infrared imaging system

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-174874

Moser, K., Brechter, M. und Prettl, Wilhelm (1987) Photoconductive infrared excitation spectrum of GaP diode wafers and application as an infrared imaging system. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 8 (11), S. 1399-1410.

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Zusammenfassung

The photoconductive excitation spectrum of GaP:N (ZnTe) diodes was measured irradiating the samples from p- and n-side unter forward and reverse bias conditions. The ionization thresholds of S and Te donors as well as transitions from their ground states to excited bound levels with subsequent ionization by the electric field could be seen. The observed minima in the continuum above the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1987
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1007/BF01117768DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:05
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:28
Dokumenten-ID:17487
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