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Saturation behavior of extrinsic photoconductivity in GaP light emitting diodes at high infrared intensities

Moser, K. und Prettl, Wilhelm (1986) Saturation behavior of extrinsic photoconductivity in GaP light emitting diodes at high infrared intensities. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 7 (1), S. 147-154.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Okt 2010 12:05

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Zusammenfassung

Saturation of extrinsic photoconductivity in GaP:N(Zn, Te) diodes could be achieved by excitation with a TEA-CO2-laser. At wavelengths in the 10 mgrm range intensities of several 100 kW/cm2 being near the damage threshold were applied. Carrier lifetimes of 60 ps at 4.2 K and 200 ps at 77 K could be estimated. The only conceivable mechanism explaining these short time constants is the capture of infrared excited holes by ionized shallow acceptors in the highly compensated p-side of the diode.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1986
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1007/BF01011068DOI
Stichwörter / Keywords:GaP light emitting diodes - ir-detection - saturation - response time
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Dokumenten-ID:17488
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