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Saturation behavior of extrinsic photoconductivity in GaP light emitting diodes at high infrared intensities

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-174883

Moser, K. und Prettl, Wilhelm (1986) Saturation behavior of extrinsic photoconductivity in GaP light emitting diodes at high infrared intensities. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 7 (1), S. 147-154.

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Zusammenfassung

Saturation of extrinsic photoconductivity in GaP:N(Zn, Te) diodes could be achieved by excitation with a TEA-CO2-laser. At wavelengths in the 10 mgrm range intensities of several 100 kW/cm2 being near the damage threshold were applied. Carrier lifetimes of 60 ps at 4.2 K and 200 ps at 77 K could be estimated. The only conceivable mechanism explaining these short time constants is the capture of infrared excited holes by ionized shallow acceptors in the highly compensated p-side of the diode.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1986
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1007/BF01011068DOI
Stichwörter / Keywords:GaP light emitting diodes - ir-detection - saturation - response time
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:05
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:28
Dokumenten-ID:17488
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