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High-speed infrared-to-visible up-conversion by free-to-bound transitions in GaP light emitting diodes

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-174895

Moser, K., Eisfeld, W., Penzenstadler, W. und Prettl, Wilhelm (1985) High-speed infrared-to-visible up-conversion by free-to-bound transitions in GaP light emitting diodes. Journal of Physics D: Applied Physics 18 (11), S. 2303-2308.

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Zusammenfassung

In GaP:N (Zn,Te) light emitting diodes electroluminescence and photoluminescence have been excited at 4.2K by a Q-switched CO2 laser and a pulsed N2 laser, respectively. In the luminescence spectral transitions of free holes to bound donor states could be identified, being responsible for the fast radiative decay on a nanosecond timescale.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:17 November 1985
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0022-3727/18/11/020DOI
Klassifikation:
NotationArt
85.60.Jb; 42.65.KyPACS
Stichwörter / Keywords:Electronics and devices; Optics, quantum optics and lasers
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:07
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:35
Dokumenten-ID:17489
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