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Infrared spectral distribution of photoconductivity and up‐conversion in GaP light emitting diodes

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-174910

Moser, K., Wahl, S., Eisfeld, W. und Prettl, Wilhelm (1985) Infrared spectral distribution of photoconductivity and up‐conversion in GaP light emitting diodes. Journal of Applied Physics 57 (12), S. 5438.

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Zusammenfassung

The spectral distribution of photoconductivity and infrared excited electroluminescence has been determined in GaP light emitting diodes at low temperatures by conventional infrared spectroscopic techniques. The observed photoresponse was found to be caused by ionization of shallow donors only, showing a peak sensitivity of 20 mA/W at 13‐μm wavelength. Spectral structures for photon energies ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1985
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.334819DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/JAPIAU/v57/i12/p5438/s1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
72.40.+w; 78.40.Fy; 78.60.Fi; 85.60.DwPACS
Stichwörter / Keywords:PHOTOCONDUCTIVITY, INFRARED SPECTRA, GALLIUM ARSENIDES, ELECTROLUMINESCENCE, BINDING ENERGY, DONORS, QUANTUM EFFICIENCY, LIGHT EMITTING DIODES
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:09
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:34
Dokumenten-ID:17491
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