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Moser, K. ; Eisfeld, W. ; Prettl, Wilhelm

High-speed photoconductivity of GaP light-emitting diodes at liquid-nitrogen temperature

Moser, K., Eisfeld, W. und Prettl, Wilhelm (1985) High-speed photoconductivity of GaP light-emitting diodes at liquid-nitrogen temperature. Infrared Physics 25 (4), S. 659-660.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Okt 2010 12:09
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.17492


Zusammenfassung

In GaP : N (Zn,Te) light-emitting diodes, extrinsic photoconductivity was excited by modelocked TEA CO2 laser pulses at liquid-nitrogen temperature, showing a current sensitivity of 2.10−5 A/W and a response time of the order of 0.5 ns.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftInfrared Physics
Verlag:Pergamon
Band:25
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:4
Seitenbereich:S. 659-660
DatumJuli 1985
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1016/0020-0891(85)90023-5DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenUnbekannt / Keine Angabe
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-174927
Dokumenten-ID17492

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