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High-speed photoconductivity of GaP light-emitting diodes at liquid-nitrogen temperature

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-174927

Moser, K., Eisfeld, W. und Prettl, Wilhelm (1985) High-speed photoconductivity of GaP light-emitting diodes at liquid-nitrogen temperature. Infrared Physics 25 (4), S. 659-660.

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Zusammenfassung

In GaP : N (Zn,Te) light-emitting diodes, extrinsic photoconductivity was excited by modelocked TEA CO2 laser pulses at liquid-nitrogen temperature, showing a current sensitivity of 2.10−5 A/W and a response time of the order of 0.5 ns.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juli 1985
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0020-0891(85)90023-5DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:09
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:35
Dokumenten-ID:17492
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