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High-speed photoconductivity of GaP light-emitting diodes at liquid-nitrogen temperature

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-174927
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.17492
Moser, K. ; Eisfeld, W. ; Prettl, Wilhelm
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Okt 2010 12:09


Zusammenfassung

In GaP : N (Zn,Te) light-emitting diodes, extrinsic photoconductivity was excited by modelocked TEA CO2 laser pulses at liquid-nitrogen temperature, showing a current sensitivity of 2.10−5 A/W and a response time of the order of 0.5 ns.


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