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High‐speed photoconductivity and infrared to visible up‐conversion in GaP light‐emitting diodes

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-174983

Moser, K., Eisfeld, W., Werling, U., Wahl, S. und Prettl, Wilhelm (1984) High‐speed photoconductivity and infrared to visible up‐conversion in GaP light‐emitting diodes. Applied Physics Letters 45 (7), S. 711.

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Zusammenfassung

In GaP:N (Zn,Te) light‐emitting diodes extrinsic photoconductivity and infrared to visible up‐conversion have been investigated by short laser pulses at 10‐μm wavelength. A time constant of the order of 1 ns was observed indicating that free infrared excited hole to bound donor recombination yields the fast response.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1984
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.95390DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/APPLAB/v45/i7/p711/s1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
72.40.+w; 72.20.Jv; 85.60.Jb; 78.60.FiPACS
Stichwörter / Keywords:GALLIUM PHOSPHIDES, HOLES, RECOMBINATION, PHOTOCONDUCTIVITY, ELECTROLUMINESCENCE, LIGHT EMITTING DIODES, ZINC, TELLURIUM, LIQUID PHASE EPITAXY, LASER RADIATION, IMAGE FORMING, INFRARED RADIATION, VISIBLE RADIATION, IMPURITIES, PHOTOIONIZATION
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:13
Zuletzt geändert:03 Jun 2018 13:34
Dokumenten-ID:17498
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