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High‐speed photoconductivity and infrared to visible up‐conversion in GaP light‐emitting diodes
Moser, K., Eisfeld, W., Werling, U., Wahl, S. und Prettl, Wilhelm (1984) High‐speed photoconductivity and infrared to visible up‐conversion in GaP light‐emitting diodes. Applied Physics Letters 45 (7), S. 711.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Okt 2010 12:13
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.17498
Zusammenfassung
In GaP:N (Zn,Te) light‐emitting diodes extrinsic photoconductivity and infrared to visible up‐conversion have been investigated by short laser pulses at 10‐μm wavelength. A time constant of the order of 1 ns was observed indicating that free infrared excited hole to bound donor recombination yields the fast response.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Verlag: | American Institute of Physics | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 45 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 7 | ||||
| Seitenbereich: | S. 711 | ||||
| Datum | 1984 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Verwandte URLs |
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| Klassifikation |
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| Stichwörter / Keywords | GALLIUM PHOSPHIDES, HOLES, RECOMBINATION, PHOTOCONDUCTIVITY, ELECTROLUMINESCENCE, LIGHT EMITTING DIODES, ZINC, TELLURIUM, LIQUID PHASE EPITAXY, LASER RADIATION, IMAGE FORMING, INFRARED RADIATION, VISIBLE RADIATION, IMPURITIES, PHOTOIONIZATION | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-174983 | ||||
| Dokumenten-ID | 17498 |
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