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Power broadening and nonlinear FIR magneto-photoconductivity in n-GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-175026

Prettl, Wilhelm, Vass, A., Allan, G. R. und Pidgeon, C. (1983) Power broadening and nonlinear FIR magneto-photoconductivity in n-GaAs. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 4 (4), S. 561-574.

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Zusammenfassung

The saturation of the photoconductivity due to 1s-2p+ shallow donor transitions in n-GaAs has been investigated using a high power cw-FIR-laser. Magnetic field strengths were chosen in such a way that 2p+ energy levels were either below or above the N=0 conduction band Landau level. In the former case 1s-p+ transitions are found to be inhomogeneously broadened with a saturation intensity as low ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1983
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
1007/BF01009395DOI
Stichwörter / Keywords:semiconductors - epitaxial GaAs - shallow donors - nonlinear photoconductivity - power broadening
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2010 12:16
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:28
Dokumenten-ID:17502
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